SO-DIMM 8 GB DDR3-1600 Dual-Kit

G.Skill - 4711148599955 - B00G5SSBKW - F3-1600C11D-8GRSL - Dualer Kanal, Niederspannung, ungepuffert - zweiseitig - 67.6 mm - Non-ECC - Generisch - SO ...
Speichermodul Speichermodul 8GB Arbeitsspeicher 8GB DDR3 Arbeitsspeicher Speichermodul DDR3 Speichermodul 1600MHz Speichermodul 1,35V CL11 DDR3 Arbeitsspeicher Dual-Kit DDR3 Arbeitsspeicher Non-ECC DDR3 Arbeitsspeicher Speichermodul 2x4GB SO-DIMM 8GB Arbeitsspeicher Speichermodul DDR3 8GB Speichermodul DDR3 1600MHz Speichermodul DDR3 CL11 Speichermodul 8GB 1600MHz 204-pin DDR3 Arbeitsspeicher Speichermodul SO-DIMM Speichermodul 8GB SO-DIMM PC3-12800 DDR3 Speichermodul 1600 MHz DDR3 Arbeitsspeicher DDR3 1600 Arbeitsspeicher DDR3 1600 Speichermodul 8GB DDR3 Speichermodul SO‑DIMM 8GB Speichermodul 1,35 V DDR3 Speichermodul CL11 DDR3 Speichermodul Ungepuffert DDR3 Speichermodul Non‑ECC DDR3 Speichermodul Laptop DDR3 Speichermodul Notebook DDR3 Speichermodul Dual‑Kit DDR3 Speichermodul DDR3 1600 CL11 Speichermodul 2x4GB DDR3 Speichermodul SO‑DIMM 204‑PIN Speichermodul 1,35 V SO‑DIMM Speichermodul DDR3L 1600 Speichermodul 8GB SO‑DIMM Speichermodul DDR3 1600 8GB Speichermodul 1,35 V DDR3 Arbeitsspeicher Laptop DDR3 Arbeitsspeicher Notebook DDR3 Arbeitsspeicher Unbuffered DDR3 Arbeitsspeicher 8GB SO-DIMM Arbeitsspeicher 1600 MHz SO-DIMM Arbeitsspeicher Speichermodul DDR3 SO-DIMM Speichermodul 1600MHz SO-DIMM Speichermodul DDR3 2x4GB Speichermodul 2x4GB SO-DIMM Speichermodul CL11 1600MHz Speichermodul 1,35V DDR3 Speichermodul 1,35V 8GB
Wo zu kaufen (2) Eigenschaften
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G.Skill Ripjaws (2 x 4GB, 1600 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMM), RAM, Schwarz
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Allgemein

Marke
G.Skill
Modell
G.Skill F3-1600C11D-8GRSL
MPN
G.Skill F3-1600C11D-8GRSL

Eigenschaften

Besonderheiten
Dualer Kanal, Niederspannung, ungepuffert
Bestückung
zweiseitig
Breite
67.6 mm
CAS Latency
11
Datenintegritätsprüfung
Non-ECC
Erweiterungstyp
Generisch
Formfaktor
SO DIMM 204-PIN
Geschwindigkeit
1600 MHz (PC3-12800)
Interner speichertyp
DDR3
Kapazität
8192 MB
Komponente für
Notebook
Latenzzeiten
CL11 (11-11-11-28)
Row-Active-Time
28
Spannung
1.35 V
Speicherkanäle
Zweikanalig
Speichertaktfrequenz
1600 MHz
Typ
DRAM

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