MBE growth of Nitride-Arsenides for long wavelength opto-electronics: 1.3 um emission and absorption on GaAs substrates using GaInNAs. Optimization of material quality
Ein technisches Handbuch, das die MBE-Fertigung von GaInNAs auf GaAs‑Substraten beschreibt, um bei 1,3 µm sowohl Emission als auch Absorption zu ...