Plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxie von AlGaN/GaN-Heterostrukturen: Substrateinfluss auf die strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften epitaktisch gewachsener Strukturen | Ieris Deutschland
Plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxie von AlGaN/GaN-Heterostrukturen: Substrateinfluss auf die strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften epitaktisch gewachsener Strukturen
Erforscht die Wechselwirkung zwischen Substraten und AlGaN/GaN-Heterostrukturen, beleuchtet Wachstumsdynamik, optische Emission und elektrische Leitfà ...