Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

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Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
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Preis aktualisiert am: 19-02-2026 12:00:49
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Marke
Books On Demand
ISBN
Books On Demand 3746097819
MPN
Books On Demand 9783746097817

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