CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TBH Si/SiGe EN TEMPERATURE: CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Si/SiGe EN TEMPERATURE
Dieses Fachbuch beleuchtet die thermische Auswirkung auf Si/SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren und entwickelt fortschrittliche Modelle zur Vorher ...