CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TBH Si/SiGe EN TEMPERATURE: CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Si/SiGe EN TEMPERATURE

Dieses Fachbuch beleuchtet die thermische Auswirkung auf Si/SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren und entwickelt fortschrittliche Modelle zur Vorher ...

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ISBN
6131500843

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